현대 전자 장치들은 표면 평탄도, 시편 평행 및 두께 등 웨이퍼 형상에 대해 더 엄격한 통제를 요구할 뿐 아니라 다음에 이어지는 과정을 위한 준비로 시편 표면 마감에 매우 높은 수준을 요구합니다.
이 목표를 성취하기 위해 많은 단체들이 결정 격자무늬 구조에서 최소한의 표면 및 sub-surface 손상으로 뛰어난 표면 polishing을 제공하기 위해 다양한 재료들에 대한 마무리 과정으로 화학적 polishing을 적용할 필요가 있습니다.
화학적 polishing이 필요한 전형적인 예들로 다음의 최종 etch polishing입이다.

· 마이크로 회로 또는 기타 장치(device) 구조가 있거나 없는 Gallium Arsenide 및 기타 III-V and II-VI 혼합물과 같은 반도체

  재료의 Thin and ultra thin 웨이퍼.
· 적외선 감지기와 초점면 배열에서 사용하는 Cadmium Telluride and Mercury Cadmium Telluride와 같은 재료들.
· 광전자 어플리케이션용 Indium Phosphide and Cadmium Sulphide와 같은 재료들.
· 부적절하게 polishing된 표면이 성장한 결정의 위치 확정에 심각한 영향을 끼치는 에피택시 성장의 중요한 가공으로서

  Gallium Arsenide and Cadmium Telluride와 같은 재료들.